PMGD8000LN,115
NXP USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | PMGD8000LN,115 |
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Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSSOP |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 125mA |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | PMGD8 |
PMGD8000LN,115 Einzelheiten PDF [English] | PMGD8000LN,115 PDF - EN.pdf |
PMGD780SN NXP
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PMGD8000LN,115NXP USA Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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